檢測流程

1、寄樣

2、免費的初檢

3、報價表

4、兩方確認，簽署保密協(xié)議書，開使試驗

5、7-10個工作日左右完成試驗

6、中后期服務(wù)，郵寄檢測報告!

我們的檢測有哪些優(yōu)勢?

產(chǎn)品評估：成分分析，分析成分比例，改善生產(chǎn)缺陷，提升產(chǎn)品品質(zhì)性能

政府監(jiān)管：工商檢測，市場監(jiān)督，項目投標招標，申請退稅基金等

上市品控：保證自己的產(chǎn)品能順利進入各種電商品臺，商超等

打通市場：增強企業(yè)的認知可信度，擴大市場占有率，提高企業(yè)競爭力，彰顯產(chǎn)品品質(zhì)

工業(yè)診斷：為您解決工藝、材料中的未知物定性定量分析服務(wù)

檢測標準參考

GB/T 30656-2014碳化硅單晶拋光片

GB/T 30866-2014碳化硅單晶片直徑測試方法

GB/T 30867-2014碳化硅單晶片厚度和總厚度變化測試方法

GB/T 30868-2014碳化硅單晶片微管密度的測定 化學(xué)腐蝕法

GB/T 31351-2014碳化硅單晶拋光片微管密度無損檢測方法

GB/T 32278-2015碳化硅單晶片平整度測試方法

SJ/T 11499-2015碳化硅單晶電學(xué)性能的測試方法

SJ/T 11500-2015碳化硅單晶晶向的測試方法

SJ/T 11501-2015碳化硅單晶晶型的測試方法

SJ/T 11502-2015碳化硅單晶拋光片規(guī)范

SJ/T 11503-2015碳化硅單晶拋光片表面粗糙度的測試方法

SJ/T 11504-2015碳化硅單晶拋光片表面質(zhì)量的測試方法

SJ 20858-2002碳化硅單晶材料點學(xué)參數(shù)測試方法

SJ 21122-2016PVTSiC76SI1-BP01型碳化硅單晶拋光片規(guī)范

SJ 21441-2018SiC-HPSI 型高純半絕緣碳化硅單晶片規(guī)范

T/IAWBS 001-2017碳化硅單晶

T/IAWBS 005-20186 英寸碳化硅單晶拋光片

T/IAWBS 010-2019碳化硅單晶拋光片表面質(zhì)量和微管密度檢測方法-激光散射檢測法

T/IAWBS 011-2019導(dǎo)電碳化硅單晶片電阻率測量方法—非接觸渦流法

T/IAWBS 012-2019碳化硅單晶拋光片表面質(zhì)量和微管密度測試方法 ——共焦點微分干涉光學(xué)法